PMV30UN2R, Транзистор: N-MOSFET, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 43 руб.

Сравнить

Описание

• Низкое пороговое напряжение
• Очень быстрое переключение
• Ток источника 0,9 А

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PMV30UN2R

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1830895

Технические параметры

Вес, г

0.01

Максимальная рабочая температура

+150 C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Серия

PMV30UN2

Brand

Nexperia

Series

PMV30UN2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Длина

3мм

Страна происхождения

Number of Elements per Chip

Width

1.4мм

Pin Count

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

TO-236AB

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Число контактов

Maximum Power Dissipation

5 Вт

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Drain Source Resistance

100 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

12 V

Height

1мм

Максимальный непрерывный ток стока

5,4 A

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

6.2 nC @ 4.5 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

12 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

4.2A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

490mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

900mV @ 250uA

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet PMV30UN2R , pdf , 268 КБ
Datasheet PMV30UN2R , pdf , 727 КБ

PMV30UN2R, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 43 руб.

Техническая документация