FZT951TA, Транзистор: PNP, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

FZT951TA

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1830863

Технические параметры

Вес, г

0.1

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

FZT951

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Производитель

DiodesZetex

Brand

DiodesZetex

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.5мм

Длина

6.5мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Dimensions

1.6 x 6.5 x 3.5мм

Base Product Number

FZT951 ->

Высота

1.6мм

Размеры

1.6 x 6.5 x 3.5мм

Pd - рассеивание мощности

3 W

Упаковка / блок

SOT-223-4

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Supplier Device Package

SOT-223

Number of Elements per Chip

Pin Count

3 + Tab

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,46 В

Максимальная рабочая частота

120 МГц

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,24 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Максимальный пост. ток коллектора

5 A

Тип транзистора

PNP

Число контактов

3 + Tab

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Maximum Operating Frequency

120 МГц

Максимальный постоянный ток коллектора

15 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Полярность транзистора

PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

120 MHz

Технология

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

Frequency - Transition

120MHz

Power - Max

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

460mV @ 500mA, 5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Maximum DC Collector Current

Pd - Power Dissipation

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,46 В

Maximum Collector Base Voltage

100 В

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1,24 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 105 КБ
Datasheet FZT951TA , pdf , 146 КБ
Datasheet , pdf , 532 КБ

FZT951TA, Транзистор: PNP - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация