STPSC4H065B-TR
Диоды Шоттки из карбида кремния от STMicroelectronics используют преимущества впечатляющих характеристик SiC по сравнению со стандартным кремнием. Наличие двойной или тройной ширины запрещенной зоны по сравнению с кремнием означает, что устройства SIC могут выдерживать гораздо более высокие напряжения и электрические поля. Низкие характеристики обратного восстановления повышают эффективность всех систем благодаря низкому прямому напряжению и делают карбидокремниевые диоды ST ключевым фактором экономии энергии. Эта экономия достигается в приложениях SMPS, а также в преобразовании солнечной энергии, на зарядных станциях EV или HEV и во многом другом. Ассортимент продукции составляет от 600 В до 1200 дюймов для сквозных отверстий и SMD-корпусов.
