ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Mitsubishi
PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Полупроводниковые модули
IGBT
170
Высокочастотные
9
Диодно-тиристорные
131
Модули управления двигателями
24
Платы и модули
6
IGBT
170
PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)
Последняя цена
3300 руб.
Сравнить
Описание
Интеллектуальные силовые IPM модули – улучшенные гибридные силовые приборы, которые сочетают в себе быстродействие и высокий КПД IGBT транзисторов, коптимизированные управляющие драйверы и схемы защиты. Применение улучшенных токовых датчиков в схемах защиты по току и КЗ позволяет проводить непрерывный мониторинг работы устройства, тем самым повышая надежность эксплуатации. В IPM модулях имеет также и защита по температуре и по пониженному напряжению. Высокая степень интеграции IPM позволяет создавать компактные и недорогие изделия.
Сигнальный интерфейс связи с IPM модулем должен иметь гальваническую развязку. Для этого обычно применяют оптроны, хотя возможно и применение оптоволоконной связи или импульсных трансформаторов. Логика управления отрицательная, т.е. активный сигнал на входе равнее 0.
Информация
Производитель
Mitsubishi
P/N
PM50RVA120
Категория
IGBT
Номенклатурный номер
1787465
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В
1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
50
Максимальная частота модуляции,кГц
20
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
338
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
200
Температурный диапазон,С
-40…125
Структура
3-ф мост+торм тр-р
Корпус
p25
Максимально допустимый импульсный ток э,А
100
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В
2.6
Наличие схем управления/защиты в составе модуля
да
Защита по току,А
59
Защита по температуре,С
110
Техническая документация
Mitsubishi Power Devices General Catalog , pdf
, 1983 КБ