IPW60R080P7XKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1350 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772430

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

8.017

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

37 A

Pd - рассеивание мощности

129 W

Qg - заряд затвора

51 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

69 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

10 ns

Время спада

5 ns

Другие названия товара №

IPW60R080P7 SP001647040

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

240

Серия

CoolMOS P7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

70 ns

Типичное время задержки при включении

15 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IPW60R080P7XKSA1 , pdf , 1303 КБ
Datasheet IPW60R080P7XKSA1 , pdf , 1363 КБ

IPW60R080P7XKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1350 руб.

Техническая документация