IPD95R1K2P7ATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

Транзистор MOSFET 950 В CoolMOS P7

Технические характеристики:

Корпус: DPAK-3;

Полярность транзистора: N;

Напряжение пробоя сток-исток: 950 В;

Номинальный ток: 6 А;

Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом;

Пороговое напряжение затвор-исток: 3 В;

Напряжение затвор-исток: 20 В;

Заряд: 15 нК;

Рабочая температура: -55... +150 °С;

Рассеиваемая мощность: 52 Вт;

Время спада: 12 нс;

Время нарастания: 10 нс;

Типичное время задержки выключения: 36 нс;

Типичное время задержки включения: 7 нс

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 950 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.2 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772372

Технические параметры

Вес, г

0.38

IPD95R1K2P7ATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.