IPB042N10N3GATMA1, MOSFET транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 460 руб.

Сравнить

Описание

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.2 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

P/N

IPB042N10N3GATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772363

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.1

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное рассеяние мощности

214 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

7,4 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.31мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

48 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

27 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

88 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

6320 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

IPB042N10N3GATMA1, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 460 руб.