IGOT60R070D1AUMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4670 руб.

Сравнить

Описание

Нитрид-галлиевый МОП-транзистор; N канал; нормально закрытый; 600 В; 31 A; 125 Вт; поверхностный монтаж.

Характеристики:

Технология: GaN

Корпус: PG-DSO-20;

Полярность транзистора: N;

Напряжение пробоя сток-исток: 600 В;

Непрерывный ток: 31 А;

Сопротивление сток-исток: 70 мОм;

Пороговое напряжение затвор-исток: 0.9 В;

Напряжение затвор-исток: -10 В;

Заряд затвора: 5.8 нК;

Рабочая температура Tj: -55...+150 °С;

Рассеиваемая мощность: 125 Вт;

Время спада: 13 нс;

Время нарастания: 9 нс;

Монтаж: SMD / SMT

Корпус PGDSO20, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 70 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772131

Технические параметры

Вес, г

2.5

Техническая документация

Datasheet IGOT60R070D1AUMA1 , pdf , 114 КБ

IGOT60R070D1AUMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4670 руб.

Техническая документация