ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HUF75639S3ST, Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
HUF75639S3ST, Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
HUF75639S3ST, Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Последняя цена
132 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
HUF75639S3ST
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1771775
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
56A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
200W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
25mО© @ 56A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet HUF75639S3ST , pdf
, 1703 КБ
Datasheet HUF75639S3ST , pdf
, 1732 КБ