ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQPF7N80C, Транзистор MOSFET N-CH 800V 6.6A [TO-220F] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQPF7N80C, Транзистор MOSFET N-CH 800V 6.6A [TO-220F]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQPF7N80C, Транзистор MOSFET N-CH 800V 6.6A [TO-220F]
Последняя цена
178 руб.
Сравнить
Описание
QFET® N-Channel MOSFET, от 6А до 10.9A, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкий спектр приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), пускорегулирующие аппараты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь во включенном состоянии за счет снижения на- сопротивление (RDS (on)) и уменьшенные потери переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQPF7N80C
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766837
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.6
Максимальный непрерывный ток стока
6,6 A
Максимальное рассеяние мощности
56 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7
Высота
9.19мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1.9 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.16мм
Серия
QFET
Типичное время задержки выключения
50 ns
Тип корпуса
TO-220F
Размеры
10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
35 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
27 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1290 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
FQPF7N80C , pdf
, 1011 КБ
Datasheet FQPF7N80C , pdf
, 1006 КБ