FQPF11P06, Транзистор MOSFET P-CH 60В 8.6A [TO-220F], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 172 руб.

Сравнить

Описание

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor, новые планарные МОП-транзисторы QFET®, основанные на передовой запатентованной технологии, обеспечивают лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкого спектра приложений , включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), пускорегулирующие аппараты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь во включенном состоянии за счет снижения сопротивления во включенном состоянии (RDS (на )), а также снижение потерь при переключении за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQPF11P06

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766830

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.5

Максимальный непрерывный ток стока

6,1 A

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.9мм

Высота

16.07мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

175 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

10.36мм

Серия

QFET

Типичное время задержки выключения

15 нс

Тип корпуса

TO-220F

Размеры

10.36 x 4.9 x 16.07мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6,5 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

420 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Техническая документация

Datasheet FQPF11P06 , pdf , 840 КБ
Datasheet FQPF11P06 , pdf , 838 КБ
Datasheet , pdf , 840 КБ

FQPF11P06, Транзистор MOSFET P-CH 60В 8.6A [TO-220F] - характеристики, поставщики

Последняя цена 172 руб.

Техническая документация