FP40R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 55 А, 1.8 В, 210 Вт, 1.2 кВ, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 15940 руб.

Сравнить

Описание

Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц.
IGBT охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FP40R12KE3BOSA1

Категория

IGBT

Номенклатурный номер

1766774

Технические параметры

Вес, г

210.6

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

107.5мм

Transistor Configuration

Трехфазные

Производитель

Infineon

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

55 А

Тип корпуса

EconoPIM2

Максимальное рассеяние мощности

210 Вт

Тип монтажа

Монтаж на печатную плату

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Ширина

45мм

Высота

17мм

Число контактов

Размеры

107.5 x 45 x 17мм

Конфигурация

3-фазный мост

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Техническая документация

Datasheet , pdf , 557 КБ

FP40R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 55 А, 1.8 В, 210 Вт, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 15940 руб.

Техническая документация