CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series), Mitsubishi - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10720 руб.

Сравнить

Описание

F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Информация

Производитель

Mitsubishi

P/N

CM75TU-24F

Категория

IGBT

Номенклатурный номер

1761306

Технические параметры

Макс.напр.к-э,В

1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А

Входная емкость затвора,нФ

Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

450

Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

Температурный диапазон,С

-40…150

Структура

3-фазн мост

Корпус

cm50tu

Максимально допустимый импульсный ток э,А

150

Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В

2.4

Наличие схем управления/защиты в составе модуля

нет

Техническая документация

Mitsubishi Power Devices General Catalog , pdf , 1983 КБ

CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series) - характеристики, поставщики

Последняя цена 10720 руб.

Техническая документация