ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
CM200RL-12NF, 7 IGBT 600V 200A 5-gen (NF-Series) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Mitsubishi
CM200RL-12NF, 7 IGBT 600V 200A 5-gen (NF-Series)
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Полупроводниковые модули
IGBT
170
Высокочастотные
9
Диодно-тиристорные
131
Модули управления двигателями
24
Платы и модули
6
IGBT
170
CM200RL-12NF, 7 IGBT 600V 200A 5-gen (NF-Series)
Последняя цена
6030 руб.
Сравнить
Описание
IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц.
5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины.
Отличительные особенности NF-модулей:
- повышенная стойкость к короткому замыканию,
- малая емкость затвора,
- низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
- стандартный корпус (аналог популярной H-серии),
- устойчивость к коротким замыканиям,
- улучшенная теплопроводность подложки из AlN,
- внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией.
Область применения:
- Инверторы
- Системы вторичного электропитания
- Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции.
- Электросварочное оборудование
- Системы электроприводов
Информация
Производитель
Mitsubishi
P/N
CM200RL-12NF
Категория
IGBT
Номенклатурный номер
1761246
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В
600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
200
Структура модуля
3-фазный мост+тормозной транзистор
Тип силового модуля
Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
20
Входная емкость затвора,нФ
30
Драйвер управления
VLA504
Защита по току
нет
Защита от короткого замыкания
нет
Защита от перегрева
нет
Защита от пониженного напряжения питания
нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
890
Максимальный ток эмиттера, А
400
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
7
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.7
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
100
Напряжение изоляции, В
2500
Температурный диапазон,С
-40...150
Техническая документация
Mitsubishi Power Devices General Catalog , pdf
, 1983 КБ