CM150DU-24F, 2 IGBTмощн. кл, 1200В, 150A, Mitsubishi - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8420 руб.

Сравнить

Описание

F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Информация

Производитель

Mitsubishi

P/N

CM150DU-24F

Категория

IGBT

Номенклатурный номер

1761241

Технические параметры

Вес, г

450

Структура

полумост

Максимальное напряжение КЭ ,В

1200

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

150

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

600

Рабочая температура (Tj), °C

-40…+150

Техническая документация

Mitsubishi Power Devices General Catalog , pdf , 1983 КБ
Силовые IGBT модули , pdf , 166 КБ
CM150DU-24F , pdf , 51 КБ

CM150DU-24F, 2 IGBTмощн. кл, 1200В, 150A - характеристики, поставщики

Последняя цена 8420 руб.

Техническая документация