DMG4800LSD-13, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 6А, 1,5Вт, SO8, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 96 руб.

Сравнить

Описание

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

P/N

DMG4800LSD-13

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1739647

Технические параметры

Вес, г

0.14

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.95мм

Длина

4.95мм

Высота

1.5мм

Размеры

4.95 x 3.95 x 1.5мм

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Изолированный

Тип корпуса

SOIC

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Число контактов

Maximum Gate Threshold Voltage

1.6V

Типичное время задержки выключения

26,33 нс

Максимальный непрерывный ток стока

7,5 А

Материал транзистора

Типичное время задержки включения

5,03 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

22 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

8,56 нКл при 5 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

798 пФ при 10 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Техническая документация

Datasheet DMG4800LSD-13 , pdf , 244 КБ
Datasheet DMG4800LSD-13 , pdf , 243 КБ

DMG4800LSD-13, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 6А, 1,5Вт, SO8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 96 руб.

Техническая документация