IPB090N06N3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

P/N

IPB090N06N3GATMA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1739234

Технические параметры

Вес, г

2.12

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Серия

OptiMOS 3

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.45мм

Длина

10.31мм

Высота

4.57мм

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Максимальное рассеяние мощности

71 Вт

Число контактов

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Типичное время задержки выключения

20 ns

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

15 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

9 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

2900 пФ при 30 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 688 КБ

IPB090N06N3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.

Техническая документация