FQP4N90C, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 82 руб.

Сравнить

Описание

Диоды и сборки выпрямительные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Корпус TO-220-3

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Выпрямительные

Номенклатурный номер

1638023

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Серия

QFET

Высота

9.2мм

Длина

9.9мм

Производитель

ON Semiconductor

Ширина

4.5мм

Вес, г

2.8

Количество элементов на ИС

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

Размеры

9.9 x 4.5 x 9.2мм

Максимальный непрерывный ток стока

4 A

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

25 ns

Типичное время задержки выключения

40 нс

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

4.2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

900 V

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

740 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

4A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

140W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

4.2О© @ 2A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

900V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Техническая документация

Параметры универсальных и импульсных отечественных диодов , pdf , 230 КБ
Выпрямительные и импульсные отечественные диоды , pdf , 218 КБ
FQP4N90C, FQPF4N90C datasheet , pdf , 1184 КБ
Datasheet , pdf , 1326 КБ
Datasheet , pdf , 1338 КБ

FQP4N90C - характеристики, поставщики

Последняя цена 82 руб.

Техническая документация