ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
1N5408G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
1N5408G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Диоды
Быстродействующие
582
Варикапы
47
Выпрямительные
2288
Высоковольтные
16
Диодные мосты
1928
Диоды лавинные
24
Защитные
4618
Импульсные
143
Прочие диоды
1435
СВЧ, туннельные
51
Силовые
110
Стабилитроны
6533
Шоттки
3700
Выпрямительные
2288
1N5408G
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
Диоды и сборки выпрямительные
кол-во в упаковке: 500, корпус: DO201AD, АБ
Standard Recovery Rectifier, 1000 V, 3.0 A
Корпус DO201AD, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 1 кВ, Прямой ток диода (средний) 3 А, Прямое падение напряжения 1 В, Особенности -
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Выпрямительные
Номенклатурный номер
1637571
Технические параметры
Base Product Number
1N5408 ->
Current - Average Rectified (Io)
3A
Current - Reverse Leakage @ Vr
10ВµA @ 1000V
Diode Type
Silicon Junction
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature - Junction
-65В°C ~ 150В°C
Package
Bulk
Package / Case
DO-201AA, DO-27, Axial
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package
DO-201AD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1000V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1V @ 3A
Pin Count
2
Diameter
5.3mm
Высота
9.5мм
Конфигурация Диода
Одиночный
Вес, г
1.05
Diode Configuration
Single
Maximum Forward Voltage Drop
1V
Число контактов
2
Размеры
5.3 (Dia.) x 9.5мм
Number of Elements per Chip
1
Brand
ON Semiconductor
Package Type
DO-201AD
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
200A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1000V
Диодная технология
Кремниевое соединение
Диаметр
5.3мм
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Diode Technology
Silicon Junction
Maximum Continuous Forward Current
3A
Корпус
DO-201AD
Кол-во диодов в корпусе
1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr
1000 В
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)
3 а
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If
1.2 В при 3 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr
5 мкА при 1000 В
Емкость при Vr, F
30 пФ при 4 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода
-55…+150 C
Техническая документация
Параметры универсальных и импульсных отечественных диодов , pdf
, 230 КБ
Выпрямительные и импульсные отечественные диоды , pdf
, 218 КБ
Datasheet , pdf
, 116 КБ
Datasheet , pdf
, 153 КБ