4N35M, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 19 руб.

Сравнить

Описание

Оптопары с транзисторным выходом

кол-во в упаковке: 50, корпус: DIP6, АБ

DIP 6/General Purpose Phototransistor Optocouplers
Корпус DIP-6

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Оптопары с транзисторным и диодным выходом

Номенклатурный номер

1636770

Технические параметры

Количество каналов

Количество контактов

If - прямой ток

60 mA

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Vf - прямое напряжение

1.5 V

Vr - обратное напряжение

6 V

Высота

5.08 mm

Длина

8.89 mm

Категория продукта

Транзисторные выходные оптопары

Максимальная рабочая температура

+ 100 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение изоляции

7,5 кВ (среднеквадратичное значение)

Подкатегория

Optocouplers

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

4N35

Тип выхода

NPN Phototransistor

Тип продукта

Transistor Output Optocouplers

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

PDIP-6

Ширина

6.6 mm

Выходное устройство

Транзистор

Максимальное прямое напряжение

1.5

Максимальный ток на входе

60 mA

Тип корпуса

PDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Вес, г

0.901

Производитель

ON Semiconductor

Тип входного тока

Пост. ток

Конфигурация

1 Channel

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер

30 V

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

Особые свойства

Корпус с двухрядным расположением выводов

Minimum Current Transfer Ratio

100 %

Другие названия товара №

4N35M_NL

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

100 V

Техническая документация

Datasheet 4N25M, 4N26M, 4N27M, 4N28M, 4N35M, 4N36M, 4N37M , pdf , 399 КБ
Оптопары импортные , pdf , 242 КБ
Оптроны AOT 12x 16x 249КН 249КП АОУ163 , pdf , 279 КБ
4N25 datasheet , pdf , 441 КБ
4N26 datasheet , pdf , 614 КБ
Datasheet , pdf , 397 КБ

4N35M - характеристики, поставщики

Последняя цена 19 руб.

Техническая документация