ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FF75R12RT4HOSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FF75R12RT4HOSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Полупроводниковые модули
IGBT
170
Высокочастотные
9
Диодно-тиристорные
131
Модули управления двигателями
24
Платы и модули
6
IGBT
170
FF75R12RT4HOSA1
Последняя цена
4400 руб.
Сравнить
Описание
Модули IGBT
кол-во в упаковке: 10, АБ
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 75 А
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
IGBT
Номенклатурный номер
1618512
Технические параметры
Вес, г
181.3
Transistor Configuration
Series
Brand
Infineon
Maximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Power Dissipation
395 W
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
34mm
Height
30.2mm
Dimensions
94 x 34 x 30.2mm
Channel Type
N
Mounting Type
Panel Mount
Configuration
Series
Length
94mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Pin Count
7
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
34MM Module
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 588 КБ
