FF200R12KT4HOSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8610 руб.

Сравнить

Описание

Модули IGBT

кол-во в упаковке: 10, АБ

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 320 А

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

IGBT

Номенклатурный номер

1618511

Технические параметры

Вес, г

306.5

Transistor Configuration

Series

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

320 A

Maximum Power Dissipation

1.1 kW

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

61.4mm

Height

30.9mm

Dimensions

106.4 x 61.4 x 30.9mm

Channel Type

Base Product Number

FF200R12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Panel Mount

Package

Bulk

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

C ->

Supplier Device Package

Module

Configuration

Series

Current - Collector (Ic) (Max)

320A

Current - Collector Cutoff (Max)

5mA

IGBT Type

Trench Field Stop

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

NTC Thermistor

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Power - Max

1100W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Length

106.4mm

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Pin Count

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

62MM Module

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 468 КБ

FF200R12KT4HOSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 8610 руб.

Техническая документация