ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSM50GB120DLC - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSM50GB120DLC
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Полупроводниковые модули
IGBT
170
Высокочастотные
9
Диодно-тиристорные
131
Модули управления двигателями
24
Платы и модули
6
IGBT
170
BSM50GB120DLC
Последняя цена
3960 руб.
Сравнить
Описание
Модули IGBT
кол-во в упаковке: 1, АБ
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 115 А
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
IGBT
Номенклатурный номер
1616149
Технические параметры
Вес, г
178
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Длина
94 mm
Минимальная рабочая температура
40 C
Ширина
34 mm
Высота
30.5 mm
Конфигурация
Dual
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Другие названия товара №
BSM50GB120DLCHOSA1 SP000100474
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
10
Тип продукта
IGBT Modules
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tray
Упаковка / блок
32 mm
Вид монтажа
Chassis Mount
Pd - рассеивание мощности
460 W
Продукт
IGBT Silicon Modules
RoHS
N
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
115 A
Ток утечки затвор-эмиттер
400 nA