ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
4N35S - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Lite-on Electronics
4N35S
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Оптопары и изоляторы
Драйверы изоляторов шин данных
304
Изолирующие DC-DC преобразователи
3
Изолирующие драйверы IGBT|MOSFET
56
Изолирующие усилители
34
Оптопары с логическим выходом
271
Оптопары с симисторным и тиристорным выходом
520
Оптопары с транзисторным и диодным выходом
816
Оптопары с транзисторным и диодным выходом
816
4N35S
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Оптопары с транзисторным выходом
кол-во в упаковке: 65, корпус: DIP6
Корпус DIP-6
Информация
Производитель
Lite-on Electronics
Категория
Оптопары с транзисторным и диодным выходом
Номенклатурный номер
1615283
Технические параметры
Количество каналов
1 Channel
Brand
Lite-On
Количество контактов
6
Mounting Type
Surface Mount
If - прямой ток
10 mA
Pd - рассеивание мощности
350 mW
Vf - прямое напряжение
1.5 V
Vr - обратное напряжение
6 V
Время нарастания
10 us
Время спада
10 us
Высота
3.5 mm
Длина
7.3 mm
Категория продукта
Транзисторные выходные оптопары
Максимальная рабочая температура
+ 100 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение изоляции
3550 Vrms
Подкатегория
Optocouplers
Размер фабричной упаковки
65
Серия
4N35
Тип выхода
NPN Phototransistor
Тип продукта
Transistor Output Optocouplers
Торговая марка
Lite-On
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
PDIP-6 Gull Wing
Ширина
6.5 mm
Current - DC Forward (If) (Max)
60mA
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.40.8000
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Channels
1
Operating Temperature
-55В°C ~ 100В°C
Package
Tube
Package / Case
6-SMD, Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ)
3Вµs, 3Вµs
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-SMD
Voltage - Forward (Vf) (Typ)
1.2V
Voltage - Isolation
3550Vrms
Максимальное прямое напряжение
1.5V
Максимальный ток на входе
60 мА
Тип корпуса
PDIP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Вес, г
0.631
Тип входного тока
Пост.ток
Вид монтажа
SMD/SMT
Коэффициент передачи по току
100 %
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
30 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Максимальный коллекторный ток
100 mA
Input Type
DC
Особые свойства
Корпус с двухрядным расположением выводов
Output Type
Transistor with Base
Current - Output / Channel
100mA
Current Transfer Ratio (Min)
100% @ 10mA
Vce Saturation (Max)
300mV
Voltage - Output (Max)
30V
Страна происхождения
TH
Техническая документация
Datasheet 4N35, 4N37 , pdf
, 617 КБ
Datasheet , pdf
, 442 КБ
Datasheet , pdf
, 446 КБ
Datasheet , pdf
, 612 КБ