ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSM50GD120DN2BOSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSM50GD120DN2BOSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Полупроводниковые модули
IGBT
170
Высокочастотные
9
Диодно-тиристорные
131
Модули управления двигателями
24
Платы и модули
6
IGBT
170
BSM50GD120DN2BOSA1
Последняя цена
13410 руб.
Сравнить
Описание
Модули IGBT
кол-во в упаковке: 10, АБ
Модуль IGBT, 3-фазный мост, 1200 В, 72 А, 350 Вт, EconoPACK
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В;
Ток коллектора: 72 А;
Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 2.5 В;
Ток утечки: 200 нА;
Мощность раcсеивания: 350 Вт;
Конфигурация: 3-фазный мост;
Корпус: EconoPACK
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
IGBT
Номенклатурный номер
1612269
Технические параметры
Вес, г
218.6
Техническая документация
Datasheet BSM50GD120DN2BOSA1 , pdf
, 8644 КБ
