BSM50GD120DN2BOSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 13410 руб.

Сравнить

Описание

Модули IGBT

кол-во в упаковке: 10, АБ

Модуль IGBT, 3-фазный мост, 1200 В, 72 А, 350 Вт, EconoPACK

Технические характеристики:

Напряжение К-Э: 1200 В;

Ток коллектора: 72 А;

Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 2.5 В;

Ток утечки: 200 нА;

Мощность раcсеивания: 350 Вт;

Конфигурация: 3-фазный мост;

Корпус: EconoPACK

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

IGBT

Номенклатурный номер

1612269

Технические параметры

Вес, г

218.6

Техническая документация

Datasheet BSM50GD120DN2BOSA1 , pdf , 8644 КБ

BSM50GD120DN2BOSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 13410 руб.

Техническая документация