PMV45EN2R, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Стабилитроны и сборки

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23

SOT23-3/30 V, N-channel Trench MOSFET (12 NC: 9340 684 94215)
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Стабилитроны

Номенклатурный номер

1611309

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.026

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3мм

Brand

Nexperia

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

5 Вт

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Pin Count

Тип корпуса

SOT-23

Pd - рассеивание мощности

1.115 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

3мм

Другие названия товара №

934068494215

Категория продукта

МОП-транзистор

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

PMV45EN2

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Base Product Number

PMV45EN2 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Количество элементов на ИС

Высота

1мм

Число контактов

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Производитель

Nexperia

Ширина

1.4мм

Width

1.4мм

Количество каналов

1 Channel

Максимальный непрерывный ток стока

5,1 А

Прямая активная межэлектродная проводимость

13S

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3 нс

Типичное время задержки выключения

11 ns

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

42 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Категория

МОП-транзистор с щелевой структурой

Типичный заряд затвора при Vgs

3,6 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

209 пФ при 15 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямое напряжение диода

1.2V

Maximum Continuous Drain Current

5,1 А

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 10 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Forward Diode Voltage

1.2V

Id - непрерывный ток утечки

5.1 A

Qg - заряд затвора

3.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

42 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Время нарастания

12 ns

Время спада

2 ns

Канальный режим

Enhancement

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки при включении

3 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.1A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

209pF @ 15V

Power Dissipation (Max)

510mW (Ta), 5W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 4.1A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

4.1A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

510mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 250uA

Техническая документация

ПАРАМЕТРЫ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ СТАБИЛИТРОНОВ , pdf , 355 КБ
Цветовая маркировка стабилитронов и стабисторов , pdf , 390 КБ
Цветовая маркировка стабилитронов и стабисторов 1 , pdf , 148 КБ
Datasheet PMV45EN2R , pdf , 466 КБ
Datasheet PMV45EN2R , pdf , 882 КБ
Datasheet , pdf , 883 КБ

PMV45EN2R - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация