ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SKM200GB126D - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Semikron Elektronik
SKM200GB126D
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Полупроводниковые модули
IGBT
170
Высокочастотные
9
Диодно-тиристорные
131
Модули управления двигателями
24
Платы и модули
6
IGBT
170
SKM200GB126D
Последняя цена
10200 руб.
Сравнить
Описание
Модули IGBT
кол-во в упаковке: 1
IGBT MODULE, DUAL, 1200V Transistor Type IGBT Module Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 260A Voltage, Vce Sat Max 2.15V Case Style SEMITRANS 3 Termination Type Screw Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V Current Ic Continuous b Max 190A Current Ic av 260A Current, Icm Pulsed 200A External Depth 61.4mm Fixing Centres 93mm Fixing Hole Diameter 5.4mm Power, Pd 220W SMD Marking SEMITRANS 3 Temperature, Current 25°C Time, Rise 40ns Transistors, No. of 2 Width, External 105mm Voltage 1200V
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
Информация
Производитель
Semikron Elektronik
Категория
IGBT
Номенклатурный номер
1610198
Технические параметры
Вес, г
320
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
106.4мм
Transistor Configuration
Серия
Производитель
Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
260 A
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
61.4мм
Высота
30мм
Число контактов
7
Размеры
106.4 x 61.4 x 30мм
Конфигурация
Двойной полумост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N