ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RVQ040N05TR - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
RVQ040N05TR
Оптоэлектроника
Вторичная оптика
530
Декоративная светотехника
Индикаторы и дисплеи
Инфракрасные светодиоды
202
Лазерные излучатели
Оптопары
24
Осветительная техника
Светодиоды видимого спектра
Фоточувствительные элементы
Индикаторы и дисплеи
OLED индикаторы
1555
Вакуумно-люминесцентные модули
5
ЖК дисплеи
2026
ЖК индикаторы графические
145
ЖК индикаторы знакосинтезирующие
312
Люминесцентные и газоразрядные модули
3
Цифровые сегментные индикаторы
354
OLED индикаторы
1555
RVQ040N05TR
Последняя цена
46 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные MOSFET-транзисторы, ROHM
Информация
Производитель
Rohm
Категория
OLED индикаторы
Номенклатурный номер
1365843
Технические параметры
Другие названия товара №
RVQ040N05
Категория продукта
МОП-транзистор
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Продукт
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
RVQ040N05
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Высота
0.85 mm
Длина
3мм
Упаковка / блок
SOT-457-6
Ширина
1.6 mm
Brand
ROHM
Height
0.95мм
Width
1.8mm
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Package Type
TSMT
Pin Count
6
Технология
Si
Количество элементов на ИС
1
Pd - рассеивание мощности
1.25 W
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
N-Channel
Максимальное рассеяние мощности
1.25 W
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки выключения
40 ns
Максимальное сопротивление сток-исток
100 mΩ
Типичный заряд затвора при Vgs
10 nC @ 10 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-21 V, +21 V
Transistor Material
Кремний
Время нарастания
15 ns
Время спада
15 ns
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Maximum Drain Source Voltage
45 В
Channel Mode
Поднятие
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Qg - заряд затвора
8.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
53 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
45 V
Vgs - напряжение затвор-исток
21 V, + 21 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Канальный режим
Enhancement
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки при включении
12 ns
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
4A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
600mW
Rds On - Drain-Source Resistance
53mО© @ 4A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
45V
Vgs - Gate-Source Voltage
2.5V @ 1mA
Техническая документация
Datasheet RVQ040N05TR , pdf
, 1454 КБ
Datasheet , pdf
, 2007 КБ