ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NSPU5132MUTBG - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NSPU5132MUTBG
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Диоды
Быстродействующие
582
Варикапы
47
Выпрямительные
2288
Высоковольтные
16
Диодные мосты
1928
Диоды лавинные
24
Защитные
4618
Импульсные
143
Прочие диоды
1435
СВЧ, туннельные
51
Силовые
110
Стабилитроны
6533
Шоттки
3700
Защитные
4618
NSPU5132MUTBG
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Защита от замыкания\Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения
Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 13.5 V UNIDIRECTION AL ESD
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Защитные
Номенклатурный номер
1323486
Технические параметры
Number of Elements per Chip
1
Packaging
Cut Tape or Reel
Pin Count
6
Iпи - пиковый импульсный ток
200 A
Категория продукта
Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение пробоя
15.5 V
Напряжение фиксации
24 V
Подкатегория
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Полярность
Unidirectional
Рабочее напряжение
13.5 V
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
ESD Suppressors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Reel, Cut Tape
Упаковка / блок
UDFN-6
Package / Case
UDFN-6
Breakdown Voltage
15.5 V
Clamping Voltage
24 V
Polarity
Unidirectional
Working Voltage
13.5 V
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте
30 kV
Diode Configuration
Одинарный
Защита от электрических разрядов
Yes
Минимальное пробивное напряжение
13.6V
Максимальный пиковый импульсный ток
200A
Тип корпуса
UDFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальный обратный ток утечки
500нА
Размеры
1.8 x 2 x 0.5мм
Тип направления
Однонаправленный
Рассеяние пиковой импульсной мощности
4800W
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Brand
ON Semiconductor
Высота
0.5мм
Maximum Clamping Voltage
24V
Length
1.8мм
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
2мм
Test Current
1mA
Емкость
1.55нФ
Factory Pack Quantity
3000
Ipp - Peak Pulse Current
200 A
Manufacturer
ON Semiconductor
Number Of Channels
1 Channel
Product Category
TVS Diodes / ESD Suppressors
Product Type
ESD Suppressors
Subcategory
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Vesd - Voltage ESD Contact
30 kV
Техническая документация
Диоды защитные импортные , pdf
, 733 КБ
Диоды импортные , pdf
, 305 КБ
Datasheet NSPU5132MUTBG , pdf
, 104 КБ
