ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
EMZ51T2R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
EMZ51T2R
Оптоэлектроника
Вторичная оптика
530
Декоративная светотехника
Индикаторы и дисплеи
Инфракрасные светодиоды
202
Лазерные излучатели
Оптопары
24
Осветительная техника
Светодиоды видимого спектра
Фоточувствительные элементы
Индикаторы и дисплеи
OLED индикаторы
1555
Вакуумно-люминесцентные модули
5
ЖК дисплеи
2026
ЖК индикаторы графические
145
ЖК индикаторы знакосинтезирующие
312
Люминесцентные и газоразрядные модули
3
Цифровые сегментные индикаторы
354
OLED индикаторы
1555
EMZ51T2R
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP+NPN Driver Transistor
Информация
Производитель
Rohm
Категория
OLED индикаторы
Номенклатурный номер
1214532
Технические параметры
Другие названия товара №
EMZ51
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
8000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-563-6
Вид монтажа
SMD/SMT
Технология
Si
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Конфигурация
Dual
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
560
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA, - 200 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)
20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
120 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
200 mA
Полярность транзистора
NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
400 MHz, 350 MHz
Техническая документация
Datasheet EMZ51T2R , pdf
, 1776 КБ