FQA28N15, Транзистор MOSFET N-CH 150В 33А [TO-3PN]
![FQA28N15, Транзистор MOSFET N-CH 150В 33А [TO-3PN]](/file/p_img/1766799.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQA28N15
FQA28N15 - это 150-вольтовый N-канальный полевой транзистор QFET® с улучшенным режимом. Мощный полевой МОП-транзистор производится с использован…
FQA11N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]
![FQA11N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]](/file/p_img/1766798.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQA11N90C_F109
МОП-транзистор 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
FMV30N60S1, Транзистор Super J-MOS, N Канал, 600В, 30А [TO-220F(SLS)
Производитель: Fuji Electric, FMV30N60S1
![FMH23N50E, Транзистор, N-канал 500В 23А 0.245Ом [TO-3P]](/file/p_img/1766577.jpg)
FMH23N50E, Транзистор, N-канал 500В 23А 0.245Ом [TO-3P]
![FMH23N50E, Транзистор, N-канал 500В 23А 0.245Ом [TO-3P]](/file/p_img/1766576.jpg)
Производитель: Fuji Electric, FMH23N50E
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.245 Ом/11.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 315 |
| Крутизна характеристики, S | 28 |
| Корпус | TO-3P(Q) |
FM600TU-2A, 6-MOSFET 100V 300A
Производитель: Mitsubishi, FM600TU-2A
| Структура | 6-mosfets |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 300 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0011 Ом/300А, 15В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 960 |
FDV304P, Транзистор P-CH 25V 460MA [SOT-23]
![FDV304P, Транзистор P-CH 25V 460MA [SOT-23]](/file/p_img/1766138.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDV304P
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.46 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1 Ом/0.5А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Крутизна характеристики, S | 0.8 |
| Корпус | SOT-23-3 |
FDV303P от Fairchild - это цифровой полевой транзистор, устанавливаемый на поверхность, с режимом повышения логического уровня P-канала в корпус…
FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]
![FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]](/file/p_img/1766137.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDV303N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.68 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом/0.5А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Крутизна характеристики, S | 1.45 |
| Корпус | SOT-23-3 |
FDV303N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство обладает высокой плотностью эле…
FDT86106LZ, Транзистор MOSFET N-канал 100В 3.2A [SOT-223]
![FDT86106LZ, Транзистор MOSFET N-канал 100В 3.2A [SOT-223]](/file/p_img/1766136.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDT86106LZ
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor