EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

FQP13N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 12.8А [TO-220]
FQP13N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 12.8А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP13N10

FQP13N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от комп…

FQP13N06L, Транзистор MOSFET N-CH 60V 13.6A [TO-220]
FQP13N06L, Транзистор MOSFET N-CH 60V 13.6A [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP13N06L

FQP13N06L - это силовой полевой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом улучшения, изготовленный с использованием патентованной планарной пол…

FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]
FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP12P20

• 100% лавинные испытания • Типичный заряд затвора 31 нКл • Типичный низкий коэффициент Cr 30 30 пФ

FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
Производитель: ON Semiconductor, FQD19N10LTM
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/7.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 14
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

FQD19N10LTM - это силовой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом расширения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы F…

FQB6N80TM
FQB6N80TM
Производитель: Fairchild Semiconductor

FQB5N90TM, Транзистор MOSFET, N-канал, 900В, 5.4А, [D2-PАK]
FQB5N90TM, Транзистор MOSFET, N-канал, 900В, 5.4А, [D2-PАK]
Производитель: ON Semiconductor, FQB5N90TM

• Низкий заряд затвора (31 нКл) • Низкий коэффициент сопротивления (13 пФ) • 100% лавинные испытания

FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN]
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN]
Производитель: ON Semiconductor, FQA9N90C_F109

FQA9N90C_F109 - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор QFET® с улучшенным режимом работы, изготовленный с использованием патентованной п…

FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN]
FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN]
Производитель: ON Semiconductor, FQA70N15
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 330
Крутизна характеристики, S 48
Корпус TO-3PN

МОП-транзистор 150V N-Channel QFET

FQA46N15, Транзистор MOSFET N-CH 150V 50A [TO-3P]
FQA46N15, Транзистор MOSFET N-CH 150V 50A [TO-3P]
Производитель: ON Semiconductor, FQA46N15

FQA46N15 - это 150-вольтовый N-канальный МОП-транзистор QFET®, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semicondu…

FQA36P15, Транзистор P-MOSFET 150В 36А [TO-3P]
FQA36P15, Транзистор P-MOSFET 150В 36А [TO-3P]
Производитель: ON Semiconductor, FQA36P15

Корпус TO3P