EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

FQP3P50, Транзистор P-MOSFET 500В 2.7A [TO-220]
FQP3P50, Транзистор P-MOSFET 500В 2.7A [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP3P50

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor, новые планарные МОП-транзисторы QFET®, основанные н…

FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]
FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP33N10

FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от комп…

FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220]
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP32N20C
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.082 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Крутизна характеристики, S 20
Корпус to-220

QFET® N-канальный МОП-транзистор, от 11А до 30А, Fairchild Semiconductor Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fair…

FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]
FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP2N60C
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4.7 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 54
Крутизна характеристики, S 5
Корпус to-220

FQP2N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от ком…

FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220]
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP19N20C

QFET® N-канальный МОП-транзистор, от 11А до 30А, Fairchild Semiconductor Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fair…

FQP19N20, Транзистор MOSFET N-CH 200V 19.4A [TO-220]
FQP19N20, Транзистор MOSFET N-CH 200V 19.4A [TO-220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQP19N20
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 19.44
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 Ом/9.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Крутизна характеристики, S 14.5
Корпус to-220

• 100% лавинные испытания • Типичный низкий заряд затвора 31 нКл • Типичный низкий уровень Crss 30 пФ

FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220]
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP17P10

• 100% лавинные испытания • Типичный низкий заряд затвора 30 нКл • Типичный низкий коэффициент сопротивления 100 пФ

FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB]
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB]
Производитель: ON Semiconductor, FQP17P06
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.12 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 79
Крутизна характеристики, S 9.3
Корпус to-220

FQP17P06 является P-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® -60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от ком…

FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220]
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP13N50C
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.48 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 195
Крутизна характеристики, S 15
Корпус to-220

МОП-транзистор 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

FQP17N40, Транзистор, QFET, N-канал, 400В, 16А [TO-220]
FQP17N40, Транзистор, QFET, N-канал, 400В, 16А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP17N40

FQP17N40 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 400В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от ком…