EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

FQPF16N25C, МОП-транзистор, N Канал, 15.6А, 250В, TO-220F
FQPF16N25C, МОП-транзистор, N Канал, 15.6А, 250В, TO-220F
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQPF16N25C
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 Ом/7.8a, 10В

МОП-транзистор N-CH/250V /16A/QFET

FQPF13N50CF, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220F]
FQPF13N50CF, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220F]
Производитель: ON Semiconductor, FQPF13N50CF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.48 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 48
Крутизна характеристики, S 15
Корпус TO-220F

МОП-транзистор HIGH VOLTAGE

FQPF11P06, Транзистор MOSFET P-CH 60В 8.6A [TO-220F]
FQPF11P06, Транзистор MOSFET P-CH 60В 8.6A [TO-220F]
Производитель: ON Semiconductor, FQPF11P06

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor, новые планарные МОП-транзисторы QFET®, основанные н…

FQP9P25, Транзистор MOSFET P-CH 250В 9.4А [TO-220]
FQP9P25, Транзистор MOSFET P-CH 250В 9.4А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP9P25

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor, новые планарные МОП-транзисторы QFET®, основанные н…

FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220]
FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP6N80C

FQP6N80C - это силовой полевой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом улучшения, изготовленный с использованием патентованной планарной поло…

FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]
FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQP65N06
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.016 Ом/32.5a, 10В
Корпус to-220

• Низкий заряд затвора • 100% лавинные испытания • Повышенная надежность системы в топологиях PFC и плавной коммутации • Улучшени…

FQP55N10, МОП-транзистор, N Канал, 55 А, 100 В [TO-220AB]
FQP55N10, МОП-транзистор, N Канал, 55 А, 100 В [TO-220AB]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQP55N10
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.026 Ом/27.5a, 10В
Корпус to-220

QFET® N-канальный МОП-транзистор, более 31 А, Fairchild Semiconductor Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchi…

FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220]
FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQP50N06
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 120
Крутизна характеристики, S 40
Корпус to-220

FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от комп…

FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220]
FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP4N90C
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4.2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Крутизна характеристики, S 5
Корпус to-220

FQP4N90C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании…

FQP44N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 43.5А [TO-220]
FQP44N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 43.5А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP44N10

FQP44N10 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании…