FS3KM-10, TO220F
Производитель: Mitsubishi, FS3KM-10
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.4 Ом/1А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 |
| Корпус | TO-220FN |
FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]
![FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]](/file/p_img/1766841.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQU11P06TU
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.185 Ом/4.7А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 4.9 |
| Корпус | ipak |
FQU11P06 - это полевой МОП-транзистор с P-каналом с P-каналом на -60 В, который изготавливается с использованием запатентованной Fairchild техно…
FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]
![FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]](/file/p_img/1766840.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQT4N20LTF
FQT4N20LTF - это N-канальный полевой МОП-транзистор с улучшенным режимом работы, изготовленный с использованием запатентованной планарной полосы…
FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f]
![FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f]](/file/p_img/1766839.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQPF9N50CF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.85 Ом/4.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 44 |
| Крутизна характеристики, S | 6.5 |
| Корпус | TO-220F |
FQPF9N50CF является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 500В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от ко…
FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F]
![FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F]](/file/p_img/1766838.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQPF8N80C
QFET® N-Channel MOSFET, от 6А до 10.9A, Fairchild Semiconductor Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® ис…
FQPF7N80C, Транзистор MOSFET N-CH 800V 6.6A [TO-220F]
![FQPF7N80C, Транзистор MOSFET N-CH 800V 6.6A [TO-220F]](/file/p_img/1766837.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQPF7N80C
QFET® N-Channel MOSFET, от 6А до 10.9A, Fairchild Semiconductor Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® ис…
FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F]
![FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F]](/file/p_img/1766836.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQPF6N90C
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3 Ом/3А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 47 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | TO-220F |
FQPF6N90C - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор QFET® с улучшенным режимом работы, изготовленный с использованием патентованной плана…
FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220]
![FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220]](/file/p_img/1766835.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQPF5N60C
FQPF5N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от ко…
FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F]
![FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F]](/file/p_img/1766834.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQPF4N90C
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2 Ом/2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 47 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | TO-220F |
Корпус TO220FULLPAK3
FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F]
![FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F]](/file/p_img/1766833.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FQPF3N80C
FQPF3N80C - это N-канальный силовой МОП-транзистор QFET® с улучшенным режимом работы, изготовленный с использованием патентованной планарной пол…