IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3]
![IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3]](/file/p_img/1772370.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IPD70R900P7SAUMA1
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 700 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6…
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 35A [TO-252 / DPAK]
![IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 35A [TO-252 / DPAK]](/file/p_img/1772368.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IPD35N10S3L26ATMA1
• Соответствие стандарту AEC-Q101 • MSL1 при пиковом оплавлении до 260 ° C • Экологичное устройство • 100% протестировано на лави…
IPD060N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [TO-252-3]
![IPD060N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [TO-252-3]](/file/p_img/1772365.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IPD060N03LGATMA1
IPC50N04S5L5R5ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 40 В, 0.0044 Ом, 10 В, 1.6 В
Производитель: Infineon Technologies, IPC50N04S5L5R5ATMA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0055 Ом/25А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Корпус | pg-tdson-8-33 |
IPB042N10N3GATMA1, MOSFET транзистор
Производитель: Infineon Technologies
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1…
IPB027N10N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0023 Ом, 10 В, 2.7 В
Производитель: Infineon Technologies, IPB027N10N3GATMA1
N-CH 100V 120A 3mOhm TO263-3 Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°…
IPB026N06NATMA1, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, IPB026N06NATMA1
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10…
IGOT60R070D1AUMA1
Производитель: Infineon Technologies
Нитрид-галлиевый МОП-транзистор; N канал; нормально закрытый; 600 В; 31 A; 125 Вт; поверхностный монтаж. Характеристики: Технология:…
![HY4306B6, Транзистор Enhancement Mode MOSFET 60В 290А [TO-263-6L]](/file/p_img/1771818.jpg)