Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRF1310NPBF, Транзистор, N-канал 100В 42А [TO-220AB]
IRF1310NPBF, Транзистор, N-канал 100В 42А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRF1310NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.036 Ом/22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 160
Крутизна характеристики, S 14
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 41A Resistance, Rds On 0.036ohm Voltage, Vgs R…

IRF1104PBF, Транзистор, N-канал 40В 100А [TO-220AB]
IRF1104PBF, Транзистор, N-канал 40В 100А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRF1104PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.009 Ом/60А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 170
Крутизна характеристики, S 38
Корпус TO-220AB

IRF1018ESTRLPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]
IRF1018ESTRLPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRF1018ESTRLPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 77
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0084 Ом/47А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 110
Корпус D2PAK(2 Leads+Tab)

IRF1018EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79А [TO-220AB]
IRF1018EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRF1018EPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 79
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0084 Ом/47А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 110
Корпус TO-220AB

IRF1018EPBF - это одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET® на 60 В с высокоскоростным переключением мощности и расширенными возм…

IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK]
IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRF1010ZSTRLPBF

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включае…

IRF1010ZSPBF, Транзистор, N-канал 55В 94В [D2-PAK]
IRF1010ZSPBF, Транзистор, N-канал 55В 94В [D2-PAK]
Производитель: International Rectifier, IRF1010ZSPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0075 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Крутизна характеристики, S 33
Корпус D2PAK(2 Leads+Tab)

IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 85А [D2-PAK]
IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 85А [D2-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRF1010NSTRLPBF

N-CH 55V 84A 11mOhm TO263 Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, б…

IRF1010NSPBF, Транзистор, N-канал 55В 84А [D2-PAK]
IRF1010NSPBF, Транзистор, N-канал 55В 84А [D2-PAK]
Производитель: International Rectifier, IRF1010NSPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 85
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 Ом/43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 180
Крутизна характеристики, S 3.2
Корпус D2PAK(2 Leads+Tab)

IRF1010NPBF, Транзистор, N-канал 55В 72А [TO-220AB]
IRF1010NPBF, Транзистор, N-канал 55В 72А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRF1010NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 84
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 Ом/43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 170
Крутизна характеристики, S 30
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 68A Resistance, Rds On 0.0125ohm Volt…

IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]
IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRF1010EPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 84
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.012 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 69
Корпус TO-220AB

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с…