IRF1310NPBF, Транзистор, N-канал 100В 42А [TO-220AB]
![IRF1310NPBF, Транзистор, N-канал 100В 42А [TO-220AB]](/file/p_img/1772583.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF1310NPBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.036 Ом/22А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 160 |
Крутизна характеристики, S | 14 |
Корпус | TO-220AB |
MOSFET, N, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 41A Resistance, Rds On 0.036ohm Voltage, Vgs R…
IRF1104PBF, Транзистор, N-канал 40В 100А [TO-220AB]
![IRF1104PBF, Транзистор, N-канал 40В 100А [TO-220AB]](/file/p_img/1772582.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF1104PBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.009 Ом/60А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
Крутизна характеристики, S | 38 |
Корпус | TO-220AB |
IRF1018ESTRLPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]
![IRF1018ESTRLPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]](/file/p_img/1772581.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF1018ESTRLPBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 77 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0084 Ом/47А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
Крутизна характеристики, S | 110 |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
IRF1018EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79А [TO-220AB]
![IRF1018EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79А [TO-220AB]](/file/p_img/1772580.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF1018EPBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 79 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0084 Ом/47А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
Крутизна характеристики, S | 110 |
Корпус | TO-220AB |
IRF1018EPBF - это одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET® на 60 В с высокоскоростным переключением мощности и расширенными возм…
IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK]
![IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK]](/file/p_img/1772579.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF1010ZSTRLPBF
N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включае…
IRF1010ZSPBF, Транзистор, N-канал 55В 94В [D2-PAK]
![IRF1010ZSPBF, Транзистор, N-канал 55В 94В [D2-PAK]](/file/p_img/1772578.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF1010ZSPBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0075 Ом/75А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
Крутизна характеристики, S | 33 |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 85А [D2-PAK]
![IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 85А [D2-PAK]](/file/p_img/1772577.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF1010NSTRLPBF
N-CH 55V 84A 11mOhm TO263 Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, б…
IRF1010NSPBF, Транзистор, N-канал 55В 84А [D2-PAK]
![IRF1010NSPBF, Транзистор, N-канал 55В 84А [D2-PAK]](/file/p_img/1772576.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF1010NSPBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 85 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом/43А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 180 |
Крутизна характеристики, S | 3.2 |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
IRF1010NPBF, Транзистор, N-канал 55В 72А [TO-220AB]
![IRF1010NPBF, Транзистор, N-канал 55В 72А [TO-220AB]](/file/p_img/1772575.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF1010NPBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом/43А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
Крутизна характеристики, S | 30 |
Корпус | TO-220AB |
MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 68A Resistance, Rds On 0.0125ohm Volt…
IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]
![IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]](/file/p_img/1772574.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF1010EPBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.012 Ом/50А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
Крутизна характеристики, S | 69 |
Корпус | TO-220AB |
N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с…