Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.09 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	70
Крутизна характеристики, S	12
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

IRF530NSTRLPBF - одноканальный силовой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, в котором используются передовые технологии обработки для достижения…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.09 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	70
Крутизна характеристики, S	12
Корпус	TO-220AB

IRF530NPBF от Infineon - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор на полевых транзисторах с N каналом на 100 В в корпусе TO-220AB. Этот…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.11 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	55
Корпус	TO-220AB

IRF530A является N-канальным силовым МОП-транзистором 100В с надежными технологиями Avalanche и Gate Oxide. Он оснащен меньшей входной емкостью и…

Сравнить

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транз…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	110
Крутизна характеристики, S	8
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infi…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	110
Крутизна характеристики, S	8
Корпус	TO-220AB

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.16 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	79
Крутизна характеристики, S	5.1
Корпус	TO-220AB

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon Infineon, предлагает линейку дискретных силовых полевы…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

MOSFET, P D2-PAK TUBE 50 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -100V Current, Id Cont 40A Resistance, Rds On 0.06ohm Voltage…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	TO-262

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов In…

Сравнить