Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.8 Ом/3.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	40
Крутизна характеристики, S	1.5
Корпус	TO-220AB

IRF620PBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с N-канальным расширением и оптимальным сочетанием быстрого переключения, проч…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.5 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	36
Крутизна характеристики, S	0.8
Корпус	TO-220AB

IRF610PBF - это N-канальный силовой МОП-транзистор на 200 В, силовой МОП-транзистор третьего поколения предлагает разработчикам наилучшее сочета…

Сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.09 Ом/2.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.96
Крутизна характеристики, S	5.2
Корпус	TSOP-6/TSOT-23-6

Сравнить

Структура	2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.09 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.96
Крутизна характеристики, S	5.4
Корпус	TSOP-6/TSOT-23-6

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	112
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	4
Корпус	soic-8

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	36
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0265 Ом/22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	92
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	36
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0265 Ом/22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	92
Корпус	TO-220AB

IRF540ZPBF - это одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор HEXFET® на 100 В, в котором используются новейшие технологии обработки для дос…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.044 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	130
Крутизна характеристики, S	21
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

N-CH 100V 33A 44mOhm TO263 Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C,…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.044 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	120
Крутизна характеристики, S	21
Корпус	TO-220AB

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.077 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Крутизна характеристики, S	8.7
Корпус	TO-220AB

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Сравнить