IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
![IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]](/file/p_img/1772675.jpg)
Производитель: Vishay, IRF640PBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/11А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
Крутизна характеристики, S | 6.8 |
Корпус | TO-220AB |
IRF640PBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 200В третьего поколения, который обеспечивает разработчика сочетанием быстрого переключен…
IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А [TO-220AB]
![IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А [TO-220AB]](/file/p_img/1772674.jpg)
Производитель: Vishay, IRF630PBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 Ом/5.4А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
Крутизна характеристики, S | 3 |
Корпус | TO-220AB |
МОП-транзистор N-Chan 200V 9.0 Amp
IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
![IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]](/file/p_img/1772673.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF630NSTRLPBF
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 150 В до 600 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов I…
IRF630NPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.3А [TO-220AB]
![IRF630NPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.3А [TO-220AB]](/file/p_img/1772672.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF630NPBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.3 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом/5.4А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
Крутизна характеристики, S | 3.8 |
Корпус | TO-220AB |
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…
IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]
![IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]](/file/p_img/1772671.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, IRF630
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 Ом/4.5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
Крутизна характеристики, S | 3.8 |
Корпус | TO-220AB |
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
IRF6216TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 150В, 2.2А [SOIC-8]
![IRF6216TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 150В, 2.2А [SOIC-8]](/file/p_img/1772670.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF6216TRPBF
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon Infineon, предлагает линейку дискретных силовых полевы…
IRF6216PBF, Транзистор, P-канал 150В 2.2А [SO-8]
![IRF6216PBF, Транзистор, P-канал 150В 2.2А [SO-8]](/file/p_img/1772669.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF6216PBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.24 Ом/1.3А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Крутизна характеристики, S | 2.7 |
Корпус | soic-8 |
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов In…
IRF6215SPBF, Транзистор, P-канал 150В 13А [D2-PAK]
![IRF6215SPBF, Транзистор, P-канал 150В 13А [D2-PAK]](/file/p_img/1772668.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF6215SPBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 Ом/6.6А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
Крутизна характеристики, S | 3.6 |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
IRF6201TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 20В, 27А [SOIC-8]
![IRF6201TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 20В, 27А [SOIC-8]](/file/p_img/1772667.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF6201TRPBF
IRF6201PBF, Транзистор, N-канал 20В 27А [SO-8]
![IRF6201PBF, Транзистор, N-канал 20В 27А [SO-8]](/file/p_img/1772666.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF6201PBF
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 27 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00245 Ом/27А, 4.5В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Корпус | soic-8 |