MP62551DJ-LF-Z
Производитель: Monolithic Power Systems (MPS)
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | n-канал |
Напряжение нагрузки, В | 2.5…5.5 |
Выходной ток (Max), А | 1.5 |
Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом | 0.1 |
Интерфейс | on/off |
Рабочая температура, °C | -40…+85 |
Корпус | tsot-23-6 |
ИС переключателя электропитания – распределение электропитания 1Ch .06-1.7A Current Limit Power Switch
ITS4142N
Производитель: Infineon Technologies
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | n-канал |
Напряжение нагрузки, В | 12…45 |
Выходной ток (Max), А | 1.4 |
Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом | 0.15 |
Интерфейс | on/off |
Рабочая температура, °C | -30…+85 |
Корпус | pg-sot223-4 |
ИС переключателя электропитания – распределение электропитания SMART HI SIDE SWITCH INDUSTRIAL APPS
ULQ2003D1, Транзисторная сборка 7NPN 50В 0.5A SOIC-16
Производитель: ST Microelectronics, ULQ2003D1
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | npn |
Напряжение нагрузки, В | 50(max) |
Выходной ток (Max), А | 0.5 |
Интерфейс | parallel |
Корпус | soic-16 |
BTS4142NHUMA1, Верхний ключ, 200мОм [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, BTS4142NHUMA1
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | n-канал |
Напряжение нагрузки, В | 12…45 |
Выходной ток (Max), А | 1.4 |
Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом | 0.15 |
Интерфейс | on/off |
Рабочая температура, °C | -40…+125 |
Корпус | pg-sot223-4 |
PROFET Smart High-Side Power Switch, одноканальный, Infineon
IPS1021RPBF, Интеллектуальный ключ [D-PAK]
Производитель: International Rectifier, IPS1021RPBF
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | n-канал |
Напряжение нагрузки, В | 28(max) |
Выходной ток (Max), А | 4.3 |
Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом | 0.02 |
Интерфейс | on/off |
Рабочая температура, °C | -40…+150 |
Корпус | dpak |
TPS2051BDBVR, Переключатель электропитания, PWR DIST SWITCH SNGL, [SOT-23-5]
Производитель: Texas Instruments, TPS2051BDBVR
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | n-канал |
Напряжение нагрузки, В | 2.7…5.5 |
Выходной ток (Max), А | 0.5 |
Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом | 0.095 |
Интерфейс | on/off |
Рабочая температура, °C | -40…+125 |
Корпус | sot-23-5 |
ULN2803ADWR, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [SO-18]
Производитель: Texas Instruments, ULN2803ADWR
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | npn |
Напряжение нагрузки, В | 50(max) |
Выходной ток (Max), А | 0.5 |
Интерфейс | parallel |
Рабочая температура, °C | -40…+85 |
Корпус | SOIC-18W |
ULN2803AG[APG], Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]
Производитель: Toshiba, ULN2803AG[APG]
VNB20N07-E
Производитель: ST Microelectronics
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | n-канал |
Напряжение нагрузки, В | 55(max) |
Выходной ток (Max), А | 14 |
Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом | 0.05 |
Интерфейс | on/off |
Корпус | d2pak |
OMNIFET Power MOSFET с полной автоматической защитой, STMicroelectronics Серия OMNIFET с полностью автоматической защитой др…
VNN7NV04PTR-E, MOSFET, N-канал, 40 В, 60 мОм, 9А, SOT-223
Производитель: ST Microelectronics, VNN7NV04PTR-E
Соотношение - вход: выход | 1:1 |
Тип выхода | n-канал |
Напряжение нагрузки, В | 36(max) |
Выходной ток (Max), А | 6 |
Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом | 0.065(max) |
Интерфейс | on/off |
Рабочая температура, °C | -40…+150 |
Корпус | SOT-223 |