NCD57090BDWR2G, Gate Driver, 1 Channel, Isolated, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, Inverting, Non-Inverting, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 560 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

NCD57090BDWR2G

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

1320174

Технические параметры

Количество каналов

1канал(-ов)

Минимальная Рабочая Температура

-40 C

Максимальная Рабочая Температура

125 C

Максимальное Напряжение Питания

20В

Минимальное Напряжение Питания

3.1В

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Привода

WSOIC

Задержка по Входу

60нс

Задержка Выхода

60нс

Конфигурация Привода

Изолированный

Power Switch Type

IGBT, MOSFET

Вес, г

0.1

Input Type

Inverting, Non-Inverting

Sink Current

6.5А

Source Current

6.5А

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Пиковый Выходной Ток

6.5А

Техническая документация

Datasheet NCD57090CDWR2G , pdf , 1975 КБ

NCD57090BDWR2G, Gate Driver, 1 Channel, Isolated, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, Inverting, Non-Inverting - характеристики, поставщики

Последняя цена 560 руб.

Техническая документация