NCD5702DR2G, IGBT Gate Driver, High Side/Low Side, 6.8A, -18V To +22V Supply, SOIC-16, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 430 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

NCD5702DR2G

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

1320166

Технические параметры

Количество каналов

1канал(-ов)

Минимальная Рабочая Температура

-40 C

Максимальная Рабочая Температура

125 C

Максимальное Напряжение Питания

35В

Количество Выводов

16вывод(-ов)

Стиль Корпуса Привода

SOIC

Задержка по Входу

59нс

Задержка Выхода

54нс

Конфигурация Привода

Высокая Сторона и Низкая Сторона

Power Switch Type

IGBT

Время нарастания

9.2нс

Количество выходов

Количество драйверов

Вес, г

0.1

Input Type

inverting

Sink Current

6.8А

Source Current

7.8А

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Пиковый Выходной Ток

6.8А

Brand

ON Semiconductor

Полярность

Инвертирующий

Input Logic Compatibility

5В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Fall Time

7.9нс

Число контактов

Dimensions

10 x 4 x 1.5мм

Length

10мм

Bridge Type

Полумост

Тип корпуса

SOIC

Height

1.5мм

Maximum Operating Supply Voltage

5 В

Минимальное рабочее напряжение питания

0 В

Зависимость стороны высокого и низкого давления

Независимый

Задержка по времени

75нс

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Техническая документация

NCD5702 , pdf , 429 КБ
Datasheet NCD5702DR2G , pdf , 419 КБ

NCD5702DR2G, IGBT Gate Driver, High Side/Low Side, 6.8A, -18V To +22V Supply, SOIC-16 - характеристики, поставщики

Последняя цена 430 руб.

Техническая документация