NCD57001FDWR2G, Gate Driver, 1 канал(-ов), Полумост, IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, 16 вывод(-ов), WSOIC, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ONSEMI

Артикул

NCD57001FDWR2G

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

1320162

Количество каналов

1канал(-ов)

Минимальная Рабочая Температура

-40 C

Максимальная Рабочая Температура

125 C

Максимальное Напряжение Питания

5.5В

Минимальное Напряжение Питания

2.4В

Количество Выводов

16вывод(-ов)

Стиль Корпуса Привода

WSOIC

Задержка по Входу

60нс

Задержка Выхода

66нс

Конфигурация Привода

полумост

Power Switch Type

IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

Вес, г

0.1

Input Type

Inverting, Non-Inverting

Sink Current

7.1А

Source Current

7.8А

NCD57001FDWR2G, Gate Driver, 1 канал(-ов), Полумост, IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, 16 вывод(-ов), WSOIC - характеристики, поставщики