ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
Накопитель SSD Samsung PCI-E x4 250Gb MZ-V7S250BW 970 EVO Plus M.2 2280 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Samsung Electronics
Накопитель SSD Samsung PCI-E x4 250Gb MZ-V7S250BW 970 EVO Plus M.2 228…
Электроника и техника
Автомобильная техника и электроника
Аксессуары для компьютеров и ноутбуков
Аудио-видео техника
Бытовая техника
Запчасти для Apple
Запчасти для бытовой техники
Запчасти для ноутбуков
Запчасти для планшетов
Запчасти для смартфонов
Компьютеры и комплектующие
Носители информации
Ноутбуки и планшеты
Оргтехника и расходные материалы
Портативная электроника
Программное обеспечение
Серверы и СХД
Сетевое оборудование
Смартфоны и гаджеты
Спорт, активный отдых, хобби
Телекоммуникационное оборудование
Цифровое фото и видео
Компьютеры и комплектующие
Блоки питания
352
Видеокарты
54
Жесткие Диски
407
Звуковые Карты
3
Компьютеры
87
Контроллеры
78
Корпуса
334
Материнские Платы
281
Накопители SSD
316
Память оперативная
333
Платформы NUC
176
Приводы
16
Процессоры
183
Устройства охлаждения
344
Накопители SSD
316
Накопитель SSD Samsung PCI-E x4 250Gb MZ-V7S250BW 970 EVO Plus M.2 2280
Последняя цена
5580 руб.
Сравнить
Описание
КОМПЛЕКТУЮЩИЕ ДЛЯ КОМПЬЮТЕРОВ\Накопители SSD\M.2
Революционный SSD накопитель
Запредельная производительность обновленного накопителя. Более быстрый по сравнению с накопителем предыдущей серии 970 EVO, накопитель 970 EVO Plus использует новейшую технологию V-NAND и оптимизированную прошивку. Этот SSD накопитель максимально использует технологию NVMe, благодаря чему обеспечивается непревзойденная производительность. Накопители емкостью до 2TБ имеют рабочий ресурс по записи до 1200 TBW.
Информация
Производитель
Samsung Electronics
Артикул
MZ-V7S250BW
Категория
Накопители SSD
Номенклатурный номер
2062996
Технические параметры
Интерфейс
PCI-E x4
Форм-фактор
M.2 2280
Объем накопителя, ГБ
250
Поддержка NVMe
да
Контроллер
Samsung Phoenix
Вес, г
117
Brand
Samsung
Capacity
250 GB
Модель
MZ-V7S250BW
Тип жесткого диска
SSD
Диапазон температур
0 → +70°C
Nand Type
MLC
TBW твердотельного накопителя, Тбайт
150
Ёмкость накопителя, Гбайт
250
Назначение
Клиентские ПК
Скорость последовательного чтения, Мбайт/c
3500
Скорость последовательной записи, Мбайт/c
2300
Средняя наработка на отказ, ч
1500000
Тип памяти
3D TLC
PartNumber/Артикул Производителя
MZ-V7S250BW
Бренд
SAMSUNG
Категория Применения
250GB
Серия
970 EVO Plus
Особенности
не поддерживает Mac OS
Потребляемая мощность, Вт
8
Максимальная скорость чтения, Мб/с
3500
Тип памяти NAND
V-NAND
Время наработки на отказ, ч
1500000
Максимальная скорость записи, Мб/с
2300
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
250000
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
550000
Кэш-память
Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS
250000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS
550000
Мощность в режиме ожидания, Вт
0.03
Тип интерфейса
PCI Express
Высота, мм
2.38
Глубина, мм
80
Ширина, мм
22
Вид устройства
Внутренний твердотельный накопитель
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с
3940
Номинальный объем, ГБ
250
Объем после форматирования, GiB
229.7
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)
Да
Позиционирование использования
Desktop
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
250
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
550
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ
150
Тип комплектации
RTL
Ударостойкость при работе, G
1500
Ударостойкость при хранении, G
1500
Энергопотребление при работе, Вт
8
Ресурс TBW, Tb
150
Версия PCI-E
PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Серия продукции
970 EVO Plus
Объем буфера, МБ
512
Поддержка Background Garbage Collection
Да
Тип буферной памяти, Мб
DDR4