MR25H256CDF, Микросхема памяти, MRAM, SPI, 32Кx8бит, 256кбит, DFN8, 2,7-3,6ВDC, Everspin Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 838 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти остальн. - микросхемы

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM)

Информация

Производитель

Everspin Technologies

Артикул

MR25H256CDF

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2126044

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+ 85 C

Минимальная рабочая температура

40 C

Организация

32 k x 8

Тип интерфейса

SPI

Категория продукта

Магниторезистивная оперативная память (MRAM)

Напряжение питания - макс.

3.6 V

Напряжение питания - мин.

2.7 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Рабочий ток источника питания

20 mA

Размер памяти

256 kbit

Размер фабричной упаковки

570

Серия

MR25H256

Тип продукта

MRAM

Торговая марка

Everspin Technologies

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

DFN-8

Clock Frequency

40MHz

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0071

Memory Format

RAM

Memory Interface

SPI

Memory Size

256Kb (32K x 8)

Memory Type

Non-Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

8-VDFN Exposed Pad

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-DFN (5x6)

Technology

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Voltage - Supply

2.7V ~ 3.6V

Вес, г

1.13

Чувствительный к влажности

Yes

Ширина Шины Данных

8 bit

Pd - рассеивание мощности

0.6 W

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1464 КБ
Datasheet , pdf , 1447 КБ

MR25H256CDF, Микросхема памяти, MRAM, SPI, 32Кx8бит, 256кбит, DFN8, 2,7-3,6ВDC - характеристики, поставщики

Последняя цена 838 руб.

Техническая документация