8GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN8GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL {10}, (632759), PNY - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3950 руб.

Сравнить

Описание

Модуль памяти

Серия продукции: Performance Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 8 Количество ранков: 2 Количество контактов: 260 CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания, В: 1.2 Нормальная операционная температура, °C: 85 Расширенная операционная температура, °C: 95 Габариты: Ширина, мм: 69.6 Высота, мм: 30 Вид поставки: RTL

Информация

Производитель

PNY

Артикул

MN8GSD42666

Категория

Память оперативная

Номенклатурный номер

1837907

Технические параметры

Форм-фактор

SODIMM

Тип памяти

Unbuffered

Вес, г

53.3

Количество контактов

260

Activate to Precharge Delay (tRAS)

CAS Latency (CL)

RAS to CAS Delay (tRCD)

Row Precharge Delay (tRP)

Низкопрофильная

Нет

Вид поставки

RTL

Высота, мм

Количество модулей в комплекте, шт

Количество чипов на модуле, шт

Напряжение питания, В

1.2

Нормальная операционная температура, °C

Объем одного модуля, ГБ

Поддержка ECC

Нет

Пропускная способность, Мб/с

21300

Расширенная операционная температура, °C

Серия продукции

Performance

Стандарт памяти

DDR4

Суммарный объем, ГБ

Ширина, мм

69.6

Эффективная частота, МГц

2666

Количество ранков

8GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN8GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL {10}, (632759) - характеристики, поставщики

Последняя цена 3950 руб.