MJE5742G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 400В, 8А, 2Вт, TO220AB, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJE5742G

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2152209

Технические параметры

Вес, г

2.02

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

65 C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJE5742

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Brand

ON Semiconductor

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

MJE5742

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Ширина

4.83 mm

Длина

10.53 mm

Вид монтажа

Through Hole

Dimensions

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Length

10.28mm

Base Product Number

MJE5742 ->

Высота

15.75 mm

Размеры

10.28 x 4.82 x 15.75мм

Pd - рассеивание мощности

2 W

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220AB

Packaging

Tube

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Package Type

TO-220

Width

4.82mm

Pin Count

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

TO-220

Тип транзистора

NPN

Число контактов

Maximum Collector Emitter Voltage

400 В

Maximum Emitter Base Voltage

8 V

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200, 50

Максимальный постоянный ток коллектора

8 A

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

400 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

8 V

Полярность транзистора

NPN

Current - Collector (Ic) (Max)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 5V

Power - Max

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 400mA, 8A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

400V

Maximum DC Collector Current

8 A

Pd - Power Dissipation

2 W

Максимальный запирающий ток коллектора

5mA

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

100

Непрерывный коллекторный ток

8 A

Maximum Power Dissipation

100 W

Height

15.75mm

Transistor Polarity

NPN

Product Category

Darlington Transistors

Minimum DC Current Gain

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 В

Maximum Continuous Collector Current

8 A

Product Type

Darlington Transistors

Factory Pack Quantity

Manufacturer

ON Semiconductor

Mounting Style

Through Hole

Subcategory

Transistors

Unit Weight

0.211644 oz

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

3.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

5mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

400 V

Continuous Collector Current

8 A

DC Collector/Base Gain Hfe Min

200, 50

Emitter- Base Voltage VEBO

8 V

DC Current Gain HFE Max

100

Техническая документация

Datasheet MJE5742G , pdf , 237 КБ
Datasheet MJE5742G , pdf , 84 КБ
Datasheet MJE5742G , pdf , 88 КБ

MJE5742G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 400В, 8А, 2Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация