CY62147EV30LL-45ZS, Память SRAM; 256Кx16бит; 2,2?3,6В; 45нс; TSOP44 II; параллельный
Производитель: Infineon Technologies, CY62147EV30LL-45ZSXI
IS62WV1288BLL55, Микросхема SRAM 3В3 128kx8 55нс TSOP32
Производитель: Integrated Silicon Solution, IS62WV1288BLL-55TLI
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 1Mb 128Kx8 55ns Async Стат. ОЗУ…
24LC08BT-I/OT
Производитель: Microchip Technology
Памятькол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT235, АБ 24LC08BT-I / OT - это 8 КБ I²C ™ последовательная электрически стираемая прог…
W25Q256JVEIQ
Производитель: Winbond Electronics
Памятькол-во в упаковке: 1, корпус: WDFN8Флеш-память NOR spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector
M24C08-RDW6TP, микросхема памяти
Производитель: ST Microelectronics, M24C08-RDW6TP
микросхемы памятиЭнергонезависимая память - [TSSOP-8]; Тип: EEPROM; Интерфейс: I2C; Объём: 8 кбит; Организация: 1Kx8; Скорость: 400kHz; Н…
W25Q80DVSNIG
Производитель: Winbond Electronics
Памятькол-во в упаковке: 1, корпус: SOIC8Ассортимент продукции NOR Ассортимент продукции Winbond NOR включает…
24LC256-I/MS
Производитель: Microchip Technology
Памятькол-во в упаковке: 100, корпус: MSOP8, АБ 24LC256-I / MS представляет собой последовательный электрически стираемый PROM…
PCA9600DP.118
Производитель: NXP Semiconductor
Интегральные схемыкол-во в упаковке: 1, корпус: TSSOP8 Периферийные устройства последовательного ввода-вывода, NXP
SDINBDA4-64G
Производитель: SanDisk
Полупроводниковые приборы\Интегральные схемы - ИС\ИС памяти\eMMCeMMC 64 ГБ iNAND 7550 eMMC 5.1 WD / SD
WV2568BLL-55HLI, Память, SRAM, 256Кx8бит, 2,5-3,6В, 55нс, STSOP32, -40-85°C
Производитель: Integrated Silicon Solution, IS62WV2568BLL-55HLI
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 2Mb 256Kx8 55ns Async Стат. ОЗУ…