LY61L102416AGL-10I, SRAM, 16 Мбит, 1М x 16бит, 2.7В до 3.6В, TFBGA, 48 вывод(-ов), 10 нс
![LY61L102416AGL-10I, SRAM, 16 Мбит, 1М x 16бит, 2.7В до 3.6В, TFBGA, 48 вывод(-ов), 10 нс](/file/p_img/1272674.jpg)
Производитель: Lyontek Incorporation, LY61L102416AGL-10I
LE25U20AFD-AH, Флеш память, последовательная, Последовательная NOR, 2 Мбит, 256К x 8бит, SPI, NSOIC, 8 вывод(-ов)
![LE25U20AFD-AH, Флеш память, последовательная, Последовательная NOR, 2 Мбит, 256К x 8бит, SPI, NSOIC, 8 вывод(-ов)](/file/p_img/1264210.jpg)
Производитель: ONSEMI, LE25U20AFD-AH
LE2464CXATBG, EEPROM, 64 Кбит, 8К x 8бит, Serial I2C (2-Wire), 400 кГц, WLCSP, 6 вывод(-ов)
![LE2464CXATBG, EEPROM, 64 Кбит, 8К x 8бит, Serial I2C (2-Wire), 400 кГц, WLCSP, 6 вывод(-ов)](/file/p_img/1264209.jpg)
Производитель: ONSEMI, LE2464CXATBG
IS66WV51216EBLL-70BLI, SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.5В до 3.6В, Mini BGA, 48 вывод(-ов), 70 нс
![IS66WV51216EBLL-70BLI, SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.5В до 3.6В, Mini BGA, 48 вывод(-ов), 70 нс](/file/p_img/1252883.jpg)
Производитель: Integrated Silicon Solution, IS66WV51216EBLL-70BLI
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMСтат. ОЗУ 8Mb,Pseudo Стат. ОЗУ,Async,512K x 16,70ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
IS66WV51216EBLL-55TLI, SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.5В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 55 нс
![IS66WV51216EBLL-55TLI, SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.5В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 55 нс](/file/p_img/1252882.jpg)
Производитель: Integrated Silicon Solution, IS66WV51216EBLL-55TLI
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMСтат. ОЗУ 8Mb Pseudo Стат. ОЗУ Async 512Kx16 55ns
IS62WV5128BLL-55HLI, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.5В до 3.6В, TSOP-I, 32 вывод(-ов), 55 нс
![IS62WV5128BLL-55HLI, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.5В до 3.6В, TSOP-I, 32 вывод(-ов), 55 нс](/file/p_img/1252881.jpg)
Производитель: Integrated Silicon Solution, IS62WV5128BLL-55HLI
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM • Время высокоскоростного доступа - 55 нс • Работа CMOS с низким энергопотреблением …
IS62WV51216EBLL-45BLI, SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.2В до 3.6В, Mini BGA, 48 вывод(-ов), 45 нс
![IS62WV51216EBLL-45BLI, SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.2В до 3.6В, Mini BGA, 48 вывод(-ов), 45 нс](/file/p_img/1252880.jpg)
Производитель: Integrated Silicon Solution, IS62WV51216EBLL-45BLI
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMСтат. ОЗУ 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
IS62WV2568BLL-55HLI, SRAM, 2 Мбит, 256К x 8бит, 2.5В до 3.6В, STSOP, 32 вывод(-ов), 55 нс
![IS62WV2568BLL-55HLI, SRAM, 2 Мбит, 256К x 8бит, 2.5В до 3.6В, STSOP, 32 вывод(-ов), 55 нс](/file/p_img/1252879.jpg)
Производитель: Integrated Silicon Solution, IS62WV2568BLL-55HLI
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMСтат. ОЗУ 2Mb 256Kx8 55ns Async Стат. ОЗУ
IS62WV12816BLL-55BLI, SRAM, 2 Мбит, 128К x 16бит, 2.5В до 3.6В, Mini BGA, 48 вывод(-ов), 55 нс
![IS62WV12816BLL-55BLI, SRAM, 2 Мбит, 128К x 16бит, 2.5В до 3.6В, Mini BGA, 48 вывод(-ов), 55 нс](/file/p_img/1252878.jpg)
Производитель: Integrated Silicon Solution, IS62WV12816BLL-55BLI
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMСтат. ОЗУ 2Mb 128Kx16 55ns Async Стат. ОЗУ
IS62C256AL-45TLI, SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 4.5В до 5.5В, TSOP, 28 вывод(-ов), 45 нс
![IS62C256AL-45TLI, SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 4.5В до 5.5В, TSOP, 28 вывод(-ов), 45 нс](/file/p_img/1252877.jpg)
Производитель: Integrated Silicon Solution, IS62C256AL-45TLI
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMСтат. ОЗУ 256K,Low Power,Async,32K x 8,45ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS